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一种薄膜晶体管包括形成在非导电衬底上的栅电极。栅电极的顶面具有小于2nm的RMS粗糙度。厚度小于25nm的栅极绝缘体形成在栅电极上。厚度小于50nm的半导体材料形成在栅极绝缘体上。栅极绝缘体的平滑顶面促进半导体材料的平滑表面。平滑表面。平滑...
该专利属于非结晶公司所有，仅供学习研究参考，未经过非结晶公司授权不得商用。

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