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本发明涉及一种抗单粒子辐射加固VDMOS器件结构；针对现有设计往往只关注于VDMOS器件的某一种抗单粒子能力的提升，并且一些加固技术会使得VDMOS器件的电学特性产生明显退化的问题；包括衬底和位于衬底上方的外延层；高K栅介质层位于外延层的上...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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