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本申请提供了一种半导体结构的制作方法和半导体结构。该方法包括：首先，提供基底，基底至少包括依次层叠的衬底、外延层、栅氧化层以及位于栅氧化层的远离衬底的部分表面上的栅极；之后，在基底的裸露表面上依次形成层叠的第一介质层和氧化层；之后，至少去除...
该专利属于苏州华太电子技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州华太电子技术股份有限公司授权不得商用。

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