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本发明提供一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底内形成有高压阱区和低压阱区；执行第一工艺步骤，所述第一工艺步骤包括：在所述高压阱区的所述衬底上形成依次堆叠的第一栅极氧化层和浮栅层；至少刻蚀去除在执行所述第一艺步骤时在所...
该专利属于粤芯半导体技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过粤芯半导体技术股份有限公司授权不得商用。

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