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本发明涉及一种提高低压铝电解电容器电极箔比容的方法，其是在对腐蚀箔进行化成之前，使腐蚀箔的表面形成一层氧化铝膜。该方法具体包括沉积、焙烧步骤，沉积是指将腐蚀箔浸渍在２０℃～５０℃的有机胺或无机碱的水溶液中一段时间，无机碱或有机胺的含量为０．...该专利属于吴江飞乐天和电子材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过吴江飞乐天和电子材料有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种提高低压铝电解电容器电极箔比容的方法，其是在对腐蚀箔进行化成之前，使腐蚀箔的表面形成一层氧化铝膜。该方法具体包括沉积、焙烧步骤，沉积是指将腐蚀箔浸渍在２０℃～５０℃的有机胺或无机碱的水溶液中一段时间，无机碱或有机胺的含量为０．...