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本发明涉及材料沉积方法，包括：提供基底(2)；通过化学溶液沉积CSD在基底(2)上形成HfO2膜(4)；在HfO2膜(4)上沉积PbTiO3的溶液；在籽晶层(6)上沉积Pb(Zr
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该专利属于卢森堡科学技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过卢森堡科学技术研究院授权不得商用。

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