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本发明提供一种MIM电容及其制备方法，所述方法包括：提供基底，所述基底上形成有第一电极层和覆盖所述第一电极层的绝缘层；在所述绝缘层上沉积形成第二电极层，所述第二电极层包括覆盖所述绝缘层的种子层和位于所述种子层上的第一子电极层。通过本发明的方...
该专利属于荣芯半导体（淮安）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过荣芯半导体（淮安）有限公司授权不得商用。

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