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本发明公开了一种双栅SGT半导体器件的制造方法，包括：步骤一、在半导体衬底的选定区域中形成一个以上的第一沟槽，在第一沟槽中形成栅介质层和栅极导电材料层。步骤二、在半导体衬底的选定区域中形成一个以上的第二沟槽，第二沟槽位于各第一沟槽的两侧的所...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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