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本发明涉及IPC分类的C30B29领域，尤其涉及一种立方碳化硅晶须的制备方法及其应用。立方碳化硅晶须的制备方法，步骤至少包括以下几步：(1)催化剂前驱体与碳源基体的制备；(2)催化剂前驱体与碳源基体的混合加热；(3)硅源基体的制备与前处理；...
该专利属于广州宏武材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州宏武材料科技有限公司授权不得商用。

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