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本发明公开了一种多层结构的晶界扩散薄膜、钕铁硼磁体的制备方法；上述多层结构的晶界扩散薄膜包括依次从下往上设置的第一辅助扩散层、重稀土扩散源层、第二辅助扩散层和功能保护层，本发明在制备钕铁硼磁体的过程中，第一辅助扩散层在毛细血管效应作用下沿晶...
该专利属于苏州磁亿电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州磁亿电子科技有限公司授权不得商用。

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