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本申请公开了一种三维存储器及其制造方法，所述方法包括：在衬底(110)上形成包括交替堆叠的电介质层(121)和牺牲层(122)的叠层结构(120)；形成贯穿叠层结构(120)的栅线缝隙(161)；以及经由栅线缝隙(161)，对靠近栅线缝隙(...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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