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本公开提供一种氮化镓基晶体管，包括：底部结构；背势垒层，设置在底部结构上，背势垒层采用铝元素、镓元素、铟元素与氮元素组合的二元、三元或四元合金，背势垒层的铝元素组分沿背势垒层的生长方向递减，以改变氮化镓基晶体管沟道处的能带结构；沟道层，设置...
该专利属于中国科学技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学技术大学授权不得商用。

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