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基模低发散角垂直腔面发射激光器及其制备方法技术
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文档序号:38714888
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本发明涉及半导体激光器技术领域,具体提供一种基模低发散角垂直腔面发射激光器及其制备方法。包括:衬底、外延叠层、绝缘层、电传播层、接触层、介质膜DBR层、P型接触电极、N型接触电极;外延叠层位于衬底上表面;接触层位于外延叠层上表面的中心区域,...
该专利属于吉光半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过吉光半导体科技有限公司授权不得商用。
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