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本发明涉及导体材料制备领域，涉及一种等离子点火用SiC半导体材料、制备方法及电嘴，该材料按质量比30～70％的SiC粉末、10～20％的ZrO2粉末、10～30％的莫来石粉末和10～30％的复合烧结助剂粉末；通过在复合烧结助剂粉末中添加Lu...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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