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本发明公开了一种MEMS器件的制造方法，包括：提供一半导体晶片，半导体晶片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的牺牲层、结构薄膜层和金属层；在半导体晶片上形成包覆金属层的抗腐蚀绝缘层；将半导体晶片浸没到腐蚀溶液中，以去除牺牲层，在衬底和结构薄膜层...
该专利属于赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司授权不得商用。

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