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一种通过多次成膜提升电容的阵列基板的制造方法,包括:依序在玻璃基板上图案化形成第一金属层;沉积一层第一绝缘层;沉积一层IGZO有源层,并图案化;在图案化后的IGZO有源层上沉积第二金属层;在第二金属层上沉积第二绝缘层,作为钝化绝缘层;并采用...该专利属于华映科技(集团)股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华映科技(集团)股份有限公司授权不得商用。
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一种通过多次成膜提升电容的阵列基板的制造方法,包括:依序在玻璃基板上图案化形成第一金属层;沉积一层第一绝缘层;沉积一层IGZO有源层,并图案化;在图案化后的IGZO有源层上沉积第二金属层;在第二金属层上沉积第二绝缘层,作为钝化绝缘层;并采用...