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一种提高耐压和通流的功率器件栅极结构及工艺制备方法技术
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下载一种提高耐压和通流的功率器件栅极结构及工艺制备方法的技术资料
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一种提高耐压和通流的功率器件栅极结构,所述栅极结构包括如下模块:(1)注入增强型的JFET区,通过高温注入形成;(2)JFET区中心的沟槽栅氧,通过碳化硅热氧形成,与周围JFET区碳化硅通过原子级硅氧键连接;(3)沟槽栅氧周围设置与JFET...
该专利属于国网北京市电力公司所有,仅供学习研究参考,未经过国网北京市电力公司授权不得商用。
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