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本申请公开了一种应力呈均向分布的碳化硅晶片及无损且精确测定晶片各向应力的方法，属于碳化硅晶片及其应力检测技术领域。该测定方法包括下述步骤：(1)对晶片进行XRD衍射测试，测试过程中对晶片进行面内和面间旋转，得到至少6个衍射晶面下的测试结果，...该专利属于上海天岳半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海天岳半导体材料有限公司授权不得商用。
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