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本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片依次包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层；有源层包括首阱层、首垒层、多量子阱层、末阱层和末垒...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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