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本发明涉及一种以泡沫铜作催化剂制备垂直石墨烯阵列的方法，包括以下步骤：S1、将衬底放置在泡沫铜表面上，然后将放置有衬底的泡沫铜置于等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统的反应腔内；S2、对PECVD系统的反应腔进行抽真空，待真空度达到要...
该专利属于闽都创新实验室所有，仅供学习研究参考，未经过闽都创新实验室授权不得商用。

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