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本实用新型公开了一种测试超高压碳化硅芯片测试台，包括装置主体，所述装置主体的内部设置有支撑座，且支撑座的上端安装有第一传输装置，所述第一传输装置的两端分别安装有第一挡板与第二挡板，所述支撑座上端安装有测试箱，且测试箱的内部安装有检测装置，所...
该专利属于硅科锐达信息技术成都有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅科锐达信息技术成都有限公司授权不得商用。

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