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本发明提供一种闪存器件的制备方法，所述方法包括：步骤1)提供一半导体结构，所述半导体结构分为存储区及逻辑区，所述存储区包括源区区域和漏区区域，且所述半导体结构包括形成有场氧的衬底及形成于所述衬底表面的栅极结构，其中，所述栅极结构包括栅氧化层...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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