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一种设有导电相变层的半导体激光元件制造技术
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文档序号:38636535
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本发明提供了一种设有导电相变层的半导体激光元件,涉及半导体光电器件技术领域,从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层,有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层,下波导层与下限制层之间和上波导层与电子阻挡层之间设有导电相变层,导电相变层具有可逆...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。
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