温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提出了一种半导体发光元件，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体、量子阱层和p型半导体，所述量子阱层为由阱层和垒层组成的周期结构，所述阱层的热膨胀系数小于或等于所述垒层的热膨胀系数，所述阱层的弹性系数小于或等于垒层的弹性系数，所述阱层...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。