下载具有绝缘沟槽栅电极的功率半导体器件和生产功率半导体器件的方法的技术资料

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规定了一种功率半导体器件(1),该功率半导体器件具有沿竖直方向在具有发射极电极(51)的发射极侧(21)和与发射极侧(21)相对的集电极侧(22)之间延伸的半导体本体(2),功率半导体器件(1)包括:第一导电类型的漂移层(26);在漂移层(...
该专利属于日立能源瑞士股份公司所有,仅供学习研究参考,未经过日立能源瑞士股份公司授权不得商用。

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