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本发明公开了一种带门极电阻布局的功率ＭＯＳＦＥＴ模块，它主要包括基板、直接敷铜基板（ＤＢＣ）、功率ＭＯＳＦＥＴ晶体管芯片、门极电阻和功率端子，基板和直接敷铜基板（ＤＢＣ）通过钎焊结合，门极电阻，功率ＭＯＳＦＥＴ晶体管芯片和直接敷铜基板（ＤＢ...
该专利属于嘉兴斯达微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过嘉兴斯达微电子有限公司授权不得商用。

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