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本发明涉及一种具有垂直AlGaN/GaN异质结的GaN基肖特基二极管及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：一、外延材料生长；二、再生长凹槽制作及再生长；三、电极制作。其能降低漂移层的等效电阻，提高单位面积的电流密度和面积使用率，从而提高了...
该专利属于江苏芯港半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏芯港半导体有限公司授权不得商用。

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