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一种用于制造半导体器件的方法，其包括：在衬底之上通过交替地堆叠多个半导体层和多个刻蚀阻挡层来形成堆叠体；通过对堆叠体的第一部分进行刻蚀来形成多个台阶以停止在刻蚀阻挡层处；通过对堆叠体的第二部分进行刻蚀来形成狭缝；通过狭缝用牺牲电介质层代替台...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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