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本发明实施例提供一种磁随机存储器及其制造方法、电子设备，属于半导体集成电路技术领域。所述磁随机存储器包括至少两层堆叠结构，所述至少两层堆叠结构中的每层堆叠结构包括至少一个磁随机存储结构，相邻两层堆叠结构中的磁随机存储结构交叉布置，其中，每个...
该专利属于致真存储（北京）科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过致真存储（北京）科技有限公司授权不得商用。

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