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本申请提供了一种含电荷捕获层的复合基底、复合薄膜及其制备方法，属于半导体元件制备领域。通过在衬底基板上制备缺陷层，对缺陷层进行离子注入掺杂或界面热扩散掺杂，然后对掺杂处理后的缺陷层进行部分氧化后，掺杂有离子的缺陷层的部分被氧化为电荷捕获层，...
该专利属于济南晶正电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过济南晶正电子科技有限公司授权不得商用。

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