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本发明公开了一种集成电路的片内ESD防护装置及其制备方法，上浮半埋氧层与下沉半埋氧层上下交错，上浮半埋氧层位置上靠近晶圆表面，所述下沉半埋氧层的位置相对上浮半埋氧层更加远离表面，所述上浮半埋氧层和下沉半埋氧层之间存在垂直距离，热沉窗口下半区...
该专利属于江苏庆延微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏庆延微电子有限公司授权不得商用。

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