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公开的是等离子体导流板、衬底处理装置和衬底处理方法。所述等离子体导流板包括：下环；上环，所述上环在俯视图中位于所述下环外部并且垂直地延伸；以及中间环，所述中间环从所述下环延伸到所述上环以相对于水平方向形成锐角。所述下环包括：下中央孔，所述下...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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