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本发明适用于半导体器件领域，提供了一种堆叠型半导体器件及其制备方法、芯片，通过在第一半导体掺杂层和第二半导体掺杂层之间形成第一MOS器件，并在第二半导体掺杂层和第三半导体掺杂层之间形成第二MOS器件，从而使得第二半导体掺杂层作为第一MOS器...
该专利属于天狼芯半导体（成都）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天狼芯半导体（成都）有限公司授权不得商用。

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