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本申请提供一种针对光刻中光罩热效应的修正方法，包括：步骤S1，通过测量掩膜版光罩在光刻测试作业中的温度变化和套准偏差，预先建立该掩膜版光罩的套准偏差修正模型；步骤S2，实时测量掩膜版光罩单个或多个位置的温度，代入步骤S1中建立的套准偏差修正...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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