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一维微纳米硅基陶瓷基底表面原位生长辐射状SiC纳米线及制备方法技术
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文档序号:38405765
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本发明涉及一种一维微纳米硅基陶瓷基底表面原位生长辐射状SiC纳米线及制备方法,实现了一维微纳米硅基陶瓷基底表面均匀定向生长辐射状SiC纳米线。本发明采用无催化剂辅助低压化学气相沉积工艺,以三氯甲基硅烷(MTS)为原料,在一维微纳米硅基陶瓷基...
该专利属于西北工业大学所有,仅供学习研究参考,未经过西北工业大学授权不得商用。
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