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半导体装置及其制造方法制造方法及图纸
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文档序号:38404444
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本公开涉及一种半导体装置及其制造方法,其中半导体衬底具有彼此相对的第一主表面和第二主表面,并且包括衬底主体和外延层。第一功率MOSFET形成在半导体衬底中限定的第一区域中,并且第二功率MOSFET形成在半导体衬底中限定的第二区域中。位于第一...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。
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