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本发明公开了一种自组织硅终端金刚石电导及器件的制备方法，包括：对金刚石单晶的表面进行抛光清洗，得到处理过的金刚石单晶；用PECVD淀积金刚石单晶得到SiO2层；通过掩膜版对SiO2层进行光刻；使用RIE刻蚀经过光刻后的SiO2层，得到图形化...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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