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本发明提供了一种硅探测器及形成方法，包括：提供第一导电类型的衬底和外延层，外延层位于衬底的表面；在外延层的表面形成第一氧化物层和第二氧化物层；在外延层的表面和内部形成场氧，场氧隔开第一氧化物层和第二氧化物层；向外延层内注入离子形成第一导电类...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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