温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明是一种高功率元件总成制造方法，包含有以下步骤：(a)于一第一基板上形成一剥离层，该剥离层的材质为二维材料；(b)于该剥离层上形成一成核层；(c)于该成核层上成长一高功率元件；(d)取一支撑板通过一接合层与该高功率元件接合；(e)移除该...
该专利属于瑞砻科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过瑞砻科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。