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本发明提供一种提高掩模版图形关键尺寸均匀性的方法，包括提供衬底基板，该衬底基板为热敏石英；在衬底基板上形成透明介质，该透明介质的折射率随温度变化；通过光刻工艺曝光形成芯片图形。本发明使用热敏石英作为掩模版衬底，衬底介质采用折射率随温度变化的...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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