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一种多量子阱层及其制备方法、外延片及发光二极管技术
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下载一种多量子阱层及其制备方法、外延片及发光二极管的技术资料
文档序号:38353128
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本发明提供一种多量子阱层及其制备方法、外延片及发光二极管,所述多量子阱层包括周期性层叠设置的量子阱层和垒层;其中,所述垒层包括依次层叠设置在所述量子阱层上的第一插入层、量子垒层以及第二插入层,所述量子阱层为Al
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该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。
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