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根据本发明的方法和器件包括具有诸如源极部件的第一晶体管端子和诸如另一源极部件的第二晶体管端子的衬底。在每个源极/漏极部件上形成接触结构。在形成接触结构之后，在接触结构之上的介电材料中形成通孔开口，填充通孔开口以形成从第一源极部件上的接触件延...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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