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本发明提供一种高光效LED外延片及其制备方法、LED芯片，高光效LED外延片由下至上依次包括N型氮化物层、有源层以及P型氮化物层，有源层包括多个交替排布的量子阱层、插入层以及量子垒层，插入层包括多个周期性交替排布的第一元素层和第二元素层，本...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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