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本发明公开了一种半导体装置，包括：半导体基体，具有第一主面及与第一主面相反的第二主面；漂移层，设于第一主面与第二主面之间；阱层，设于比漂移层更靠近第一主面；发射极层，设于阱层的第一主面侧；发射极电极，其与发射极层电连接；有源沟槽，其在半导体...
该专利属于海信家电集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海信家电集团股份有限公司授权不得商用。

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