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本申请实施例公开一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：衬底、栅介质层、第一导电层以及导电栓塞，栅介质层设于衬底上；第一导电层设于栅介质层上；导电栓塞设于栅介质层上，且覆盖第一导电层的侧壁，导电栓塞和栅介质层在衬底上的投影至少部分重合。...
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