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本公开提供一种导电层堆叠及半导体元件。该导电层堆叠具有一中介层，包括硅化钨并设置在一下层上；一填充层，包括钨并设置在该中介层上。该下层包括氮化钛并包括一柱状颗粒结构。该中介层的一厚度大于大约4.1nm。该中介层的一厚度大于大约4.1nm。该...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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