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本发明提供了一种半导体激光元件，包括由下至上依次相连的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，所述有源层由阱层和垒层组成，基于阱层与垒层厚度设置的关系在有源层上形成斜率效率提升结构。本发明提供的一种半导体激光元件，...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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