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本公开提供了一种激光干涉光刻方法，包括：对涂覆有光刻胶的晶片执行干涉曝光；以及对经干涉曝光的晶片执行图案化泛曝光，其中执行泛曝光包括：确定在所述经干涉曝光的晶片中的第一光场分布；基于所述第一光场分布、预期的图案分布和用于所述泛曝光的泛光光源...
该专利属于香港大学所有，仅供学习研究参考，未经过香港大学授权不得商用。

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