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本实施例提供了一种半导体结构的制备方法和半导体结构，该方法包括：提供堆叠结构，堆叠结构包括衬底和形成于衬底上的至少一层堆叠层；堆叠层包括牺牲层和形成于牺牲层上的有源层；于堆叠结构内形成沿第一方向延伸的第一沟槽；第一沟槽将有源层分割为有源柱；...
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