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本公开涉及半导体电路测试领域，特别涉及一种测试方法、存储块的测试方法及存储器的测试方法，包括：在待测存储器中选择待测感测放大器；设置待测存储器的连续访问的延迟tCCD、激活命令到读或写命令间的延时tRCD，tRCD设置为待测存储器所属产品的...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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